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定制器件

　　除了肖特基二极管和MOSFET外，还有一些类型的器件已经商业化并具有优异的性能。高压和高功率组合中的最新研究进展包括高压IGBT、栅极关断(GTO)晶闸管和发射极关断(ETO)晶晶闸管。南京宽能半导体致力于研究先进的制造工艺，以满足世界各地的定制需求。

 

示意图