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功率JBS、MPS二极管（650~1700V）
在SBD (肖特基二极管)中，由于肖特基势垒降低效应，在较高温度下的漏电流快速增加;因此传统SBD的阻断电压是有限的。
JBS二极管(结势垒控制肖特基二极管)，设计集成了多个P+区域以包围肖特基区域。根据PN结的特性，最大电场从肖特基势垒向P+区的底部移动。因此，关态漏电流减少，并且由于器件的导通仍然是通过大多数载流子电子进行的，所以JBS的速度没有受到影响。因此，JBS二极管在宽电压范围内(例如600 V–3.3 kV)提供了优异的性能。
特点：结势垒肖特基(JBS)二极管具有低反向漏电流和低正向压降，广泛应用于温度传感器、大功率系统和辐射检测应用。
MPS二极管(Merged PIN Schottky diode)是基于JBS结构提出的，该结构具有嵌入表面的大P+区域，有利于获得PN结和双极电流传导模式。器件制造工艺对浪涌能力也有很大影响，尤其是P+区注入和P+欧姆接触工艺。对于P+区注入，注入剂量和温度会影响注入区的表面形态和晶体质量。所以，MPS二极管着重于改善器件的正向特性，其设计目标在于引进PN结的电导调制作用降低SBD在高密度正向电流下的压降。
特点：混合式PIN-肖特基二极管(MPS)在导通状态下具有低电压降、关断状态下具有较低泄漏、快速开关特性和良好的高温特性。
南京宽能半导体的二极管在专业制造的结势垒肖特基(JBS)和混合式PIN-肖特基(MPS)二极管中具有高性能。650至1700V的二极管适合于作为最终用户的要求的高频和高效率电力系统。
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